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行業(yè)資訊
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兩步氯化氫薄柵氧化工藝的優(yōu)點介紹
人們總是希望所制作的半導體器件質量高,可靠性好。為了實現(xiàn)這些目標,柵氧化層的擊穿強度和閾值電壓重復可控是基本的必要條件。人們發(fā)現(xiàn),堿離子是造成表面電位不穩(wěn)定的主要原因,因此,在制作高擊穿電壓的二氧化硅絕緣體時,去除這類可動離子顯得特別重要,人們已經(jīng)發(fā)現(xiàn),在熱氧化工藝中摻入百分之幾的氯化氫氣體時就能有效地吸除這類堿離子。進一步的研究工作是在初始氧化層生長以后,再在百分之幾的HCl和O_2的混合氣體中對二氧化硅進行高溫處理。這種工藝稱為兩步氯化氫處理工藝。業(yè)已發(fā)現(xiàn),采用兩步氯化氫柵氧化工藝,面積為20,000平方密耳的電容器的薄氧化層的擊穿電場比標準的一步柵氧化工藝提高了百分之五十六。
為了充分說明兩步氯化氫柵氧化的優(yōu)點,必須了解利用作為吸除劑的氯化氫熱氧化的特點。據(jù)報導,在熱氧化氣氛中添加少量的含氯類物質除了以消除堆雜層錯和增加少子壽命以外,還能通過消除可動離子而改善器件的穩(wěn)定性,減少氧化物缺陷及提高氧化物的擊穿電壓。
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