|
|
 |
行業資訊
|
兩步氯化氫薄柵氧化工藝的優點介紹
人們總是希望所制作的半導體器件質量高,可靠性好。為了實現這些目標,柵氧化層的擊穿強度和閾值電壓重復可控是基本的必要條件。人們發現,堿離子是造成表面電位不穩定的主要原因,因此,在制作高擊穿電壓的二氧化硅絕緣體時,去除這類可動離子顯得特別重要,人們已經發現,在熱氧化工藝中摻入百分之幾的氯化氫氣體時就能有效地吸除這類堿離子。進一步的研究工作是在初始氧化層生長以后,再在百分之幾的HCl和O_2的混合氣體中對二氧化硅進行高溫處理。這種工藝稱為兩步氯化氫處理工藝。業已發現,采用兩步氯化氫柵氧化工藝,面積為20,000平方密耳的電容器的薄氧化層的擊穿電場比標準的一步柵氧化工藝提高了百分之五十六。
為了充分說明兩步氯化氫柵氧化的優點,必須了解利用作為吸除劑的氯化氫熱氧化的特點。據報導,在熱氧化氣氛中添加少量的含氯類物質除了以消除堆雜層錯和增加少子壽命以外,還能通過消除可動離子而改善器件的穩定性,減少氧化物缺陷及提高氧化物的擊穿電壓。
淄博迪嘉特種氣體有限公司是山東淄博一家專業經營化學級氯化氫、電子級氯化氫、高純氯化氫等各種特種氣體的供銷機構。公司經銷的“華宇同方”牌氯化氫產品性能先進,質量穩定,處于國內領先地位,達到國際先進水平，為醫藥中間體、農藥及精細化學制造業和半導體器件生產中單晶硅片的氣相拋光、外延基座腐蝕及硬質合金制造提供了充足的優質原材料。 |
|
